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Time-Dependent Negative Capacitance Effects in Al2O3/BaTiO3 Bilayers
저자
Kim, Yu Jin; Yamada, Hiroyuki; Moon, Taehwan; Kwon, Young Jae; An, Cheol Hyun; Kim, Han Joon; Kim, Keum Do; Lee, Young Hwan; Hyun, Seung Dam; Park, Mm Hyuk; Hwang, Cheol Seong
학술지명
Nano Letters
출판/발행연도
2016
주제
요약
본 연구는 강유전체 재료에서 나타나는 부정적 커패시턴스 효과의 히스테리시스 문제를 시간 영역에서 재해석하고, Al2O3/BaTiO3 이중층 커패시터를 통해 짧은 펄스 충전을 통해 히스테리시스 없이 전하 부스팅을 달성할 수 있음을 입증했습니다. 히스테리시스 현상은 유전체 층의 누설 전류에서 기인하며, 누설 전류를 억제함으로써 빠른 펄스 시간 동안 완전한 강유전체 분극 스위칭을 방지할 수 있음을 밝혔습니다.
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