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저온 200 oC에서 잉크젯인쇄에 의한 금속산화물 박막트랜지스터의 아연도핑 효과

저자
최운섭
학술지명
대한금속·재료학회지
출판/발행연도
2019
주제
요약

본 연구는 저온(200 oC)에서 잉크젯 인쇄 기술을 이용하여 아연 도핑된 금속산화물 반도체를 제작하고 전기적 특성을 조사했습니다. 아연 도핑 농도에 따라 금속산화물 박막 트랜지스터의 전기적 특성이 변화했으며, 낮은 아연 농도에서 더 우수한 특성을 보였습니다. 특히 0.025M Zn 도핑된 In2O3 TFT는 1.80 cm2/Vs의 이동도, 1.49 × 107의 전류비, -3.26 V의 문턱 전압을 나타냈습니다.

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