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Development of Germanium-Based Wafer-Bonded Four-Junction Solar Cells

저자

Hohn O.,Siefer G.,Janz S.,Dimroth F.,Niemeyer M.,Weiss C.,Lackner D.,Predan F.,Franke A.,Beutel P.,Schachtner M.,Muller R.

학술지명

IEEE Journal of Photovoltaics

출판/발행연도

2019

주제

요약

본 연구는 우주 및 농축형 태양광 발전 분야의 차세대 기술로 기대되는 4접합 태양전지 개발에 관한 것이다. Ge 기반 웨이퍼 본딩 기술을 이용하여 GaInAs/Ge 하부 탠덤 셀과 GaInP/AlGaAs 상부 탠덤 셀을 결합하여 단일 기판 상의 4접합 태양전지를 구현했으며, 42%의 효율을 달성했다. 새로운 패시베이션 기술을 통해 Ge 접합의 전류 생성량을 향상시키고, 45% 효율 달성을 위한 방안을 제시한다.

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