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잉크젯 인쇄 기술을 이용하여 상대적으로 낮은 온도에서 리튬이 도핑 된 인듐-아연-산화물 트랜지스터의 제작
저자
최운섭
학술지명
대한금속·재료학회지
출판/발행연도
2021
주제
요약
본 연구는 잉크젯 인쇄 기술을 이용하여 리튬 도핑된 인듐-아연-산화물 트랜지스터(IZO TFT)를 제작하고 전기적 특성을 향상시키는 것을 목표로 합니다. 200℃의 비교적 낮은 어닐링 온도에서도 잉크젯 인쇄를 통해 IZO TFT를 구현했으며, 최적화된 공정 조건에서 400℃에서 9.08 cm²/V s의 이동도, 0.62 V/dec의 문턱 기울기, 2.66 V의 문턱 전압, 2.83 × 10⁸의 온-오프 전류비를 달성했습니다.
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