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Insight into Threshold Voltage and Drain Induced Barrier Lowering in Negative Capacitance Field Effect Transistor
저자
Bhaskar Awadhiya, Pravin N. Kondekar, Sameer Yadav, Pranshoo Upadhyay
학술지명
Transactions on Electrical and Electronic Materials
출판/발행연도
2021
주제
요약
본 연구에서는 NCFET의 임계 전압과 드레인 유도 배리어 하강 현상을 분석했습니다. NCFET는 MOSFET에 비해 음의 등가 유전체 커패시턴스로 인해 낮은 임계 전압을 가지며, 드레인 바이어스 증가에 따라 임계 전압이 증가하고 누설 전류가 감소하는 특징을 보입니다.
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