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Moon, T; Kim, C; Park, B
2006 / Journal of Power Sources
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본 연구는 구리 기판에 증착된 비정질 실리콘 박막의 전계화학적 성능에 대한 증착 온도 및 박막 두께의 영향을 조사했습니다. 200℃에서 증착하고 200nm 두께의 박막을 사용했을 때, 약 3000 mAh g(-1)의 우수한 비용량과 함께 최적의 사이클 수명을 나타냈습니다. 이는 실리콘과 구리 사이의 계면 확산으로 인한 강한 접착력과 박막 응력 간의 최적화에 기인하는 것으로 판단됩니다.
Handbook of thin film materials
Ferroelectric dielectrics integrated on silicon
Thin films by chemical vapour deposition
Thin film transistors : materials and processes
Thin films and heterostructures for oxide electronics
Advancing methods for biomolecular crystallography
Thin-film silicon solar cells
Hydrogenated amorphous silicon alloy deposition processes
Diamond films : chemical vapor deposition for oriented and heteroepitaxial growth
Thin film materials for large area electronics : proceedings of Symposium E on Thin Film Materials for Large Area Electronics of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France, June 16-19, 1998
Principles of physical vapor deposition of thin films
Metal based thin films for electronics :
Thin-film crystalline silicon solar cells : physics and technology
Nano-optics for enhancing light-matter interactions on a molecular scale : plasmonics, photonic materials and sub-wavelength resolution
Thin film metal-oxides : fundamentals and applications in electronics and energy
Thin-film diamond
Thin film structures in energy applications
Materials Letters
Wang, Y.; Lv, L.; Wang, J.; Yan, D.; Geng, B.; Wu, Z.; Zhuo, R.Energy Storage and Saving
Wang, Yibo; Huang, Xiaona; Liu, Yan; Zhang, Xiangyu; Yang, Bing; Yue, YananJournal of Non-Crystalline Solids
Zheng J.,Ye L.,He M.,He D.,Huang Y.,Yu J.,Chen T.Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Kundu, Kusumita; Ghosh, Arnab; Ray, Apurba; Das, Sachindranath; Chakraborty, Joy; Kumar, Suresh; Prasad, Namburi E.; Banerjee, RajatInternational Journal of Hydrogen Energy
Zhang Q.,Bian Z.,Liu X.,Lan X.,Liu J.,Ma Z.,Zhang H.,Luo Y.THIN SOLID FILMS
Taysanoglu, T.; Zayim, E. O.; Agirseven, O.; Yildirim, S.; Yucel, O.Energy Reports
Adawiya J. Haider; Rafid A. Rsool; Mohammed J. Haider; Rusul A. Rsool; Amer B. DheyabPHYSICA B-CONDENSED MATTER
Han, Jia; Wu, Chuanyi; Wang, Yangzhou; Wang, Jin; Kang, Baojuan; Cao, Shixun; Zhang, Jincang; Chen, FeiJournal of Science: Advanced Materials and Devices
Tarnawski, Z.; Kim-Ngan, N.-T.H.Materials Letters
Duan, M.; Yuan, Q.; Liu, W.; Zhang, Z.; Wei, J.Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Abubakar, Saleh; Yilmaz, ErcanApplied Nanoscience (Switzerland)
Kruzina T.V.,Popov S.A.,Potapovich Y.N.,Ryabtsev S.I.,Rutskiy A.S.,Suchanicz J.Results in Physics
Chihi T.,Fatmi M.,Barka B.,Ahmed S.I.,Sahnoune F.Chinese Physics B
Li, Y.; Ji, P.-F.; Song, Y.-L.; Zhou, F.-Q.; Huang, H.-C.; Yuan, S.-Q.IEEE Transactions on Electron Devices, Electron Devices, IEEE Transactions on, IEEE Trans. Electron Devices
Qin, S.Materials Letters
Shen, H.; Wei, B.; Zhang, D.; Wang, Z.; Qi, Z.Diamond and Related Materials
Nyamaa O.,Bae J.H.,Seo D.h.,Jeong H.M.,Huh S.C.,Yang J.H.,Dolgor E.,Noh J.P.THIN SOLID FILMS
Yi, Seol-Min; An, Jung-Uk; Hwang, Sang-Soo; Yim, Jung Ryoul; Huh, Yong-Hak; Park, Young-Bae; Joo, Young-ChangJournal of Crystal Growth
Park, Soon-Young; You, Shin-Jae; Kim, Chan-Soo; Hwang, Nong-MoonJournal of Materials Science: Materials in Electronics
Lv, Panpan; Huang, Shifeng; Cheng, Xin; Yang, Changhong; Yao, Qian전선 / 대학원
반도체, MEMS와 같은 다양한 미세소자에서의 결정입 특성, 집합조직, 기계적 성질, 신뢰성 등의 문제에 대해 반도체회로(ULSI)에 사용되고 있는 알루미늄과 구리 배선을 중심으로 살펴본다.전선 / 대학원
이 강의는 발전된 반도체 소자를 이해하기 위한 반도체 물리를 강의한다. 높은 도핑 효과, 이종 접합에서의 밴드 라인업 이론 등을 소개한다. 이러한 물리이론을 바탕으로 MOSFET 소자와 바이폴러 소자의 물리, 모델링 그리고 특성에 대해서 강의한다. 이 소자들의 이상적이 아닌 특성과 스케이링 이론을 소개한다. 여기에는 MOSFET의 표면 양자화 효과와 이 효과가 끼치는 소자의 CV, 전달특성 등에 대해서 강의한다.전선 / 대학원
본 강의에서는 기본적인 플라즈마의 성질, 하전입자의 운동, 전자와 외부 전장의 상호 작용, 하전입자의 생성 과 소멸, Kinetic equation for electron, 인가 주파수에 따른 gas방전의 형성, equilibrium and stability 이론을 소개 하고자 한다. 또한 용량성 결합된 고주파 플라즈마에 대해서도 다루어진다.전선 / 학사
본 교과목에서는 거의 한계에 다다른 CMOS 소자의 scaling 문제를 극복할 수 있는, 나노 기술을 응용한 새로운 소자 구조와 이들의 바이오 물질 등과의 상호작용에 대해 소개한다. 그리고 이러한 신소자들을 이해하고 연구하기 위한 기초적인 양자 및 소자 물리학, 그리고 이온전해질과 반도체 표면과의 관계에 대해 배운다. 전반부에서는 에너지 밴드, 유효질량, hole 등의 개념을 설명하기 위한 나노소자 물리의 기초를 다루고, 이를 토대로 다중 게이트 소자 같은 나노 FET 소자들의 최신 동향에 대해 소개한다. 후반부에서는 간단한 물리 및 나노소자 시뮬레이션 실습을 통해 학습한 양자 물리학에 대한 이해를 높이고, 직접 나노소자 및 전기-바이오 소자를 설계하고 그 특성을 분석해보는 기회를 갖는다.전선 / 대학원
직접회로 전반에 관한 공정에 대한 과목으로서 화학적인 방법과 물리적인 방법으로 세분되어 기본원리에 의한 공정 분석 및 디자인을 다룬다. 모래로부터 시작해서 완성된 직접회로에 이르기까지의 흐름을 따르나 화학증착 및 플라즈마 공정에 중점을 두며 직접회로 공정에 특유한 도핑(doping) 및 lithography도 포함된다. 공정방법에 대한 자세한 기술보다는 각 공정에서의 기본 원리를 다루는 것이 특징이다.전선 / 대학원
지능재료의 정의와 종류, 역할등에 대한 개략적인 고찰을 한 후 선형 이론을 적용하여 지능 구조물의 거시적인 거동을 기술하는 방법론을 제공한다. 구조물의 열-전기-기계의 완전 연성을 고려하여 주어진 환경하에서 거시적인 거동을 기술하는 능력을 습득하고, 실제 작동기로 사용되는 피에조 세라믹 계열의 재료(PZT, PLZT)와 형상기억합금(SMA;Shape Memory Alloy)의 미시적인 구성방정식을 다루고 이 미시적인 관점이 어떻게 거시적인 구성방정식으로 확장되는지에 대한 미시역학을 공부한다. 특히 PZT에서 발생되는 분극반전(polarization switching)에 대해 공부하고 SMA에서 발생하는 상 전이 현상(Phase transformation)에 관해 공부한다. 구성방정식을 공부한 후 실제 구조물에서 지능재료의 기능을 고찰하고 설계에 응용하기 위한 실제문제들의 해석과 설계 문제를 다룬다.전선 / 대학원
이 과목은 핵분열 기반 원자력시스템 등 에너지시스템 공학 각 분야의 최신 연구동향과 관련된 다양한 주제를 다룬다.전필 / 학사
이 과목은 재료학부생에게 고전적인, 또는, 양자역학적인 관점에서 정성적으로 재료의 전기적, 자기적, 광학적, 그리고, 열적 성질을 재료를 구성하고 있는 전자와 원자의 관점에서 이해할 수 있도록 하는데 목적이 있다.전선 / 학사
분자의 운동, 반응 및 동적인 전기화학에 관한 제문제를 기초적인 이론으로부터 응용에 이르기까지 다방면에 걸쳐 연구한다. 여기에는 기본적인 기체운동론, 이온운반과 분자확산을 다루는 분자의 운동, 간단한 반응의 속도론과 더불어 광화학반응, 자체촉매반응, 진동반응, 연쇄반응 등이 관련되는 좀 더 복잡한 반응의 속도론, 고체 표면에서의 흡착, 촉매현상 및 과전위, 분극현상, 폴라로그래피, 전지, 부식 등을 취급하는 동적인 전기화학에 관련된 전반적인 내용이 포함된다.전선 / 학사
전자세라믹스의 전자기적 성질에 대한 기초이론과 응용을 소개한다. 기초이론을 토대로 전자기적 특성기구(mechanism)을 설명하고 재료특성과 Device Design을 통한 Device응용을 소개한다. 전자세라믹스의 다양한 종류와 그 특성을 다룬다. 유전재료에는 압전재료, 초전재료, 강유전재료를 비롯하여 마이크로파 유전재료가 있으며 자성재료에는 페리자성과 강자성재료를 비롯하여 고주파 자성재료가 있다. 반도성 재료에는 센서로 응용되는 NTC와 PTC재료와 회로보호용 배리스터재료가 있다.전선 / 학사
본 강의는 대학원 과정의 고급전산유체역학의 기초과정으로서 공기역학, 압축성유체역학 등에서 학습하였던 유동 미분 방정식을 이산화 하여 수치해석을 하는 과정과 함께 이와 관련된 기본적인 개념들을 다룬다. 수치기법들을 기반으로 1차원, 2차원 유동을 계산하는 수치해석코드를 만들고, 실제적인 유동문제 해석에 적용하여, 그 장단점을 분석해본다.전선 / 대학원
유기발광다이오드 (OLED) 디스플레이, 유기태양전지, 유기박막트랜지스터 (OTFT) 등의 넓은 응용 분야를 가지는 새로운 반도체 재료인 유기반도체의 기본 개념 및 이론에 대해 소개한다. 유기반도체의 전자 에너지 밴드 구조, 계면 특성, 전하 이동도 및 재결합 등의 전기적 특성, 광 흡수 및 방출 등의 광학적 특성, 엑시톤 동역학 등에 대해 강의한다. 그리고 유기전자소자의 주요 원리에 대해 설명한다.전선 / 학사
실생활에서 접할 수 있는 다양한 전자제품을 분해, 분석 또는 조립하여 그 안에 탑재된 반도체 부품의 동작 원리, 회로 설계, 적용 사례를 배운다. 비전공자들도 이해하기 쉬운 실습 위주의 교과 과정으로, 초반부에서는 기초 원리의 강의와 실제 제품의 분석 위주로 진행하고, 후반부에서는 회로 변경, 제품의 심화 분석, 완전 재설계 등의 개별 프로젝트를 학생 개인 또는 팀 단위로 수행한다. 실제 제품을 통하여 반도체 지식과 논리적 사고 방법을 배양하는 것이 이 과정의 목표이다. 대상 전자제품과 프로젝트의 주제는 매 학기 변경될 수 있으니 강의 계획서의 참조가 필요하다.전선 / 학사
금속, 비금속 및 반도체 등 고체의 제반 성질과 현상을 양자물리학과 통계물리학의 기초 위에서 서술하고 이해한다. 특히 자유전자 이론과 에너지띠 이론을 기본으로 하여 고체 결정구조, 살창떨기, 반도체, 고체의 전기자기적 성질, 광학적 성질, 표면현상, 초전도 현상등을 다룬다.전선 / 대학원
현재 임플란트 소재로 사용되는 물질(금속, 세라믹, 고분자, 복합체)에 대한 재료공학 및 생물학적 관점에서의 기본 성질을 이해하고 각 소재별 제조공정, 물리?화학적 평가법, 전임상 및 임상에의 적용예 및 최신 연구경향에 대한 내용을 학습하게 된다.전필 / 학사
본 교과에서는 지속가능 기술을 위한 전기화학의 기본 개념을 이해하는 것을 목적으로 한다. 전기화학적 전위, 전하이동 속도론, 물질 이동을 포함한 전기화학의 기초원리, 다양한 전기화학적 분석법 그리고 배터리, 연료전지, 태양전지 및 광전기화학 셀과 같이 전기화학이 응용되는 지속가능 기술을 소개하고자 한다.전선 / 학사
본 과목에서는 기존에 배운 유체역학, 열역학, 열전달 등에서의 지식을 확장하여, 높은 에너지를 가지는 시스템의 해석을 목표로 한다. 연소, 폭발, 레이저 조사 등에서와 같은 아주 빠르고, 상변화를 수반하는 시스템에서의 열 및 물질 전달 이론을 공부하여, 현실 속의 여러 고에너지 현상을 분석하는 안목을 기르고, 미래의 환경문제를 해결할 그린에너지 시스템도 다뤄질 것이다.전필 / 학사
상평형 및 재료의 상변태에 관한 개요를 다루되 특히 고체에서의 상변태의 열역학 및 속도론의 기초원리를 간결하게 설명한다. 이를 위하여 속도론적 과정을 이해하는데 필요한 개념 및 핵생성과 생성상의 성장에 관한 이론을 다룬다.전필 / 학사
실리콘 전자 기기 분석과 증폭 회로의 주파수 응답에 대한 기본적인 이론을 배운다. 피드백이 있는 회로의 설계와 분석, 불안정한 피드백을 가지는 파워 증폭 회로를 이용하여 파형에 대한 기본적인 원리를 학습한다.전선 / 대학원
고체의 전기적 및 자기적 특질과 이것이 전기장치에 수행하는 기능을 소개한다. 격자와 역격자, Brillouin 영역, 에너지 띠 구조, 금속, 반도체, 유전체와 강유전체, 자성, 초전도체 등에 대해서 공부하게 됩니다. 이 과목을 듣기 위해서 양자 역학의 기초, 열역학과 통계 역학의 기초를 먼저 들어야 한다.