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Nitrogen-Doped Graphene for High-Performance Ultracapacitors and the Importance of Nitrogen-Doped Sites at Basal Planes

저자
Jeong, Hyung Mo; Lee, Jung Woo; Shin, Weon Ho; Choi, Yoon Jeong; Shin, Hyun Joon; Kang, Jeung Ku; Choi, Jang Wook
학술지명
Nano Letters
출판/발행연도
2011
요약

본 연구는 플라즈마 공정을 통해 제조된 질소 도핑 그래핀을 사용하여 기존 그래핀 대비 약 4배 향상된 정전용량(280 F/g(electrode))을 보이는 초고용량 축전기를 개발했습니다. 주사 광전자 현미경 분석 결과, 질소 도핑이 바살면에서도 관찰되었으며, 이는 축전기 성능 향상의 주요 원인임을 밝혀냈습니다.

학술지 영향력
[Nano Letters]
CiteScore
14.9
ES
0.13697
JCI
1.56
JCR
9.1
SJR
2.967

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