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최신 메모리와 로직 반도체소자 및 재료에 대한 기본 지식 제공을 목적으로 한다. 이를 위하여 최근의 반도체 기술 현황 및 전개 방향을 점검하고 소자의 집적화에 따른 제반 문제점들을 공부한다. DRAM 과 같은 대표적 메모리 소자의 동작 원리와 집적화에 관한 일반적인 원리들을 공부함으로써 메모리 소자에 관한 근본적 이해를 도모한다. 이와 더불어 NAND 또는 NOR type의 Flash memory 의 동작 원리 및 scaling 에 관련된 문제들을 공부 한다. 또한 FeRAM, MRAM, PcRAM 또는 새로운 저항 변화 현상을 이용하는 새로운 메모리 소자의 등장에 따라 이들에 대한 새로운 지식을 제공하고 이들 소자의 궁극적 한계를 생각해본다. 궁극적으로 반도체 또는 고체 전자 소자가 직면 하게 될 스케일링의 한계를 설명하고 이를 극복하기 위한 새로운 Nanoelectronics의 개념과 전개 방향을 설명한다.